![焊球凸块与封装结构及其形成方法](/CN/2014/1/26/images/201410133209.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 焊球凸块与封装结构及其形成方法
- 专利标题(英):STUD BUMP AND PACKAGE STRUCTURE THEREOF AND METHOD OF MANUFACTURING SAME
- 申请号:CN201410133209.5 申请日:2014-04-03
- 公开(公告)号:CN104766849A 公开(公告)日:2015-07-08
- 发明人: 庄东汉 , 蔡幸桦 , 李俊德
- 申请人: 乐金股份有限公司
- 申请人地址: 中国台湾台中市
- 专利权人: 乐金股份有限公司
- 当前专利权人: 乐金股份有限公司
- 当前专利权人地址: 中国台湾台中市
- 代理机构: 隆天知识产权代理有限公司
- 代理人: 郝新慧; 张浴月
- 优先权: 103100145 2014.01.03 TW
- 主分类号: H01L23/488
- IPC分类号: H01L23/488 ; H01L21/60 ; C22C5/06
摘要:
本发明是提供焊球凸块结构、其封装结构及其形成方法。焊球凸块结构的一例是提供一种焊球凸块结构,包括:一第一芯片;以及一第一银合金焊球凸块,设置于上述第一芯片上,其中上述第一银合金焊球凸块的组成是包含:0.01~10重量%的钯与余量的银。上述封装结构还包含一基板,藉由与上述第一芯片倒装芯片接合的形式,以其一基板上焊垫电性连接于芯片上银合金焊球凸块。
摘要(英):
A stud bump structure, a package structure thereof and method of manufacturing the package structure are provided. The stud bump structure include a first chip; and a silver alloy stud bump disposed on the substrate, wherein the on-chip silver alloy stud bump includes Pd of 0.01-10 wt%, while the balance is Ag. The package structure further includes a substrate having an on-substrate bond pad electrically connected to the on-chip silver alloy stud bump by flip chip bonding.
公开/授权文献:
- CN104766849B 焊球凸块与封装结构及其形成方法 公开/授权日:2018-05-18
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/34 | .冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置 |
----------H01L23/488 | ..由焊接或黏结结构组成 |