基本信息:
- 专利标题： 低功率芯片
- 专利标题（英）：Low power die
- 申请号：CN201410709649.0 申请日：2014-11-28
- 公开(公告)号：CN104682933A 公开(公告)日：2015-06-03
- 发明人： P·贝利
- 申请人： 意法半导体(R&D)有限公司
- 申请人地址： 英国白金汉郡
- 专利权人： 意法半导体(R&D)有限公司
- 当前专利权人： 意法半导体(R&D)有限公司
- 当前专利权人地址： 英国白金汉郡
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 王茂华
- 优先权： 1321098.4 2013.11.29 GB
- 主分类号： H03K17/56
- IPC分类号： H03K17/56
摘要：
本发明涉及低功率芯片。本发明提供了一种功能电路，包括至少一个绝缘体上硅(SOI)晶体管和至少一个输出端子。偏置电路控制向功能电路供应的工作电压。偏置电路通过控制所供应的反向本体偏置电压以反向本体偏置至少一个SOI晶体管来禁用至少一个输出端子。
摘要（英）：
The present invention relates to a lower power die. A functional circuit includes at least one silicon on insulator (SOI) transistor and at least one output terminal. A biasing circuit controls an operational voltage supplied to the functional circuit. The biasing circuit disables the at least one output terminal by controlling a reverse body bias voltage supplied to reverse body bias the at least one SOI transistor.
公开/授权文献:
- CN104682933B 低功率芯片 公开/授权日：2018-11-06
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H03 | 基本电子电路 |
| ----H03K | 脉冲技术 |
| ------H03K17/00 | 电子开关或选通，即不通过通断接触的 |
| --------H03K17/51 | .按使用特殊元件区分的 |
| ----------H03K17/56 | ..应用半导体器件作为有源元件的 |