基本信息:
- 专利标题： 用于铂和钌材料的选择性抛光的组合物和方法
- 申请号：CN201380043956.3 申请日：2013-08-15
- 公开(公告)号：CN104584199B 公开(公告)日：2017-09-05
- 发明人： W.金 , E.雷姆森
- 申请人： 嘉柏微电子材料股份公司
- 申请人地址： 美国伊利诺伊州
- 专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
- 当前专利权人： 嘉柏微电子材料股份公司
- 当前专利权人地址： 美国伊利诺伊州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 宋莉
- 优先权： 13/593,634 20120824 US
- 国际申请： PCT/US2013/055071 2013.08.15
- 国际公布： WO2014/031427 EN 2014.02.27
- 进入国家日期： 2015-02-16
- 主分类号： H01L21/304
- IPC分类号： H01L21/304
摘要：
本发明提供用于抛光含有铂和/或钌的基板的化学‑机械抛光(CMP)方法、和适合用于所述方法的组合物。对于本发明的方法使用的含有氧化铝以及选自抑制剂、络合剂和氨基化合物的至少一种添加剂的抛光组合物容许抛光铂和钌。本发明的方法为调节铂、钌、氧化硅和氮化硅的相对移除速率提供保证。
公开/授权文献:
- CN104584199A 用于铂和钌材料的选择性抛光的组合物和方法 公开/授权日：2015-04-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/304 | ......机械处理，例如研磨、抛光、切割 |