基本信息:
- 专利标题： 半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备
- 申请号：CN201410515052.2 申请日：2014-09-29
- 公开(公告)号：CN104576668B 公开(公告)日：2019-08-09
- 发明人： 重歳卓志
- 申请人： 索尼公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人： 索尼公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 陈桂香; 曹正建
- 优先权： 2013-211642 2013.10.09 JP
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
摘要：
本发明提供了半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备。该半导体装置包括：布线层，所述布线层包括至少一个低介电率层间绝缘膜层；保护环，所述保护环被形成在形成有穿过所述布线层的贯通电极的部分中，并且是通过将布线和穿孔串联地布置起来且与所述贯通电极接触而形成的；以及所述贯通电极，所述贯通电极通过被埋入所述保护环内而被形成。本发明能够减小当形成低介电率绝缘膜中的贯通电极时的失败率。
摘要（英）：
A semiconductor device includes a wiring layer that includes at least one low-dielectric rate interlayer insulating film layer; a guard ring that is formed by placing in series a wire and a via so as to be in contact with a through electrode, in a portion in which the through electrode passing through the wiring layer is formed; and the through electrode that is formed by being buried inside the guard ring.
公开/授权文献:
- CN104576668A 半导体装置、半导体装置制造方法和电子设备 公开/授权日：2015-04-29
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |