基本信息:
- 专利标题： 半导体器件和用于制造半导体器件的方法
- 申请号：CN201410450086.8 申请日：2014-09-05
- 公开(公告)号：CN104517906B 公开(公告)日：2017-08-11
- 发明人： M·聪德尔 , T·奥斯特曼
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国诺伊比贝尔格
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国诺伊比贝尔格
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 王茂华
- 优先权： 14/020,117 20130906 US
- 主分类号： H01L23/00
- IPC分类号： H01L23/00 ; H01L21/78
摘要：
本发明公开了一种半导体器件和用于制造半导体器件的方法，该器件包括半导体芯片。半导体芯片的前侧面的轮廓线包括多边形线和弧形线中的至少一项，该多边形线包括以大于90°的内角被接合在一起的两条线段。
公开/授权文献:
- CN104517906A 半导体器件和用于制造半导体器件的方法 公开/授权日：2015-04-15
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |