基本信息:
- 专利标题： 半导体光检测装置
- 专利标题（英）：SEMICONDUCTOR PHOTO-DETECTING DEVICE
- 申请号：CN201410490656.6 申请日：2014-09-23
- 公开(公告)号：CN104465849A 公开(公告)日：2015-03-25
- 发明人： 朴起延 , 金华睦 , 李圭浩 , 李晟贤 , 金亨奎
- 申请人： 首尔伟傲世有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道安山市
- 专利权人： 首尔伟傲世有限公司
- 当前专利权人： 首尔伟傲世有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道安山市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理人： 韩芳; 谭昌驰
- 优先权： 10-2013-0113854 2013.09.25 KR
- 主分类号： H01L31/101
- IPC分类号： H01L31/101
摘要：
公开了一种半导体光检测装置和及其制造方法。所述半导体光检测装置包括：基底；第一氮化物层，设置在基底上；低电流阻挡层，设置在第一氮化物层上并包括多层结构；光吸收层，设置在低电流阻挡层上；肖特基结层，设置在光吸收层上。因此，本发明可以提供具有高的光检测效率的光检测装置。
摘要（英）：
A photo-detecting device includes a first nitride layer, a low-current blocking layer disposed on the first nitride layer, a light absorption layer disposed on the low-current blocking layer, and a Schottky junction layer disposed on the light-absorption layer. The low-current blocking layer includes a multilayer structure.
公开/授权文献:
- CN104465849B 半导体光检测装置 公开/授权日：2017-09-01