基本信息:
- 专利标题： 半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法
- 申请号：CN201410450460.4 申请日：2014-09-05
- 公开(公告)号：CN104425473B 公开(公告)日：2017-09-29
- 发明人： G.比尔 , I.埃舍尔-珀佩尔 , J.赫格尔 , O.霍尔费尔德 , P.坎沙特
- 申请人： 英飞凌科技股份有限公司
- 申请人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人： 英飞凌科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 德国瑙伊比贝尔格市坎芘昂1-12号
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 卢江; 胡莉莉
- 优先权： 102013217801.8 20130905 DE
- 主分类号： H01L25/07
- IPC分类号： H01L25/07 ; H01L25/18 ; H01L21/50 ; H01L21/60
A semiconductor arrangement includes top and bottom contact plates, a plurality of chip assemblies, a dielectric embedding compound, and a control electrode interconnection structure. Each chip assembly has a semiconductor chip having a semiconductor body. The semiconductor body has a top side and an opposing underside. The top side is spaced apart from the underside in a vertical direction. Each semiconductor chip has a top main electrode arranged on the top side, a bottom main electrode arranged on the underside, a control electrode arranged at the top side, and an electrically conductive top compensation die, arranged on the side of the top main electrode facing away from the semiconductor body and cohesively and electrically conductively connected to the top main electrode by means of a top connecting layer. An electric current between the top main electrode and the bottom main electrode can be controlled by means of the control electrode.
公开/授权文献:
- CN104425473A 半导体装置及制造和运行方法和制造多个芯片组件的方法 公开/授权日：2015-03-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L25/00 | 由多个单个半导体或其他固态器件组成的组装件 |
| --------H01L25/03 | .所有包含在H01L27/00至H01L51/00各组中同一小组内的相同类型的器件，例如整流二极管的组装件 |
| ----------H01L25/04 | ..不具有单独容器的器件 |
| ------------H01L25/07 | ...包含在H01L29/00组类型的器件 |