基本信息:
- 专利标题： 形成倒装芯片半导体封装的方法
- 申请号：CN201410607362.7 申请日：2014-10-31
- 公开(公告)号：CN104392941B 公开(公告)日：2017-11-03
- 发明人： 石磊
- 申请人： 通富微电子股份有限公司
- 申请人地址： 江苏省南通市崇川路288号
- 专利权人： 通富微电子股份有限公司
- 当前专利权人： 通富微电子股份有限公司
- 当前专利权人地址： 江苏省南通市崇川路288号
- 代理机构： 北京集佳知识产权代理有限公司
- 代理人： 蔡杰赟; 骆苏华
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L21/56 ; H01L21/48 ; H01L23/31
摘要：
本发明公开了一种用于形成倒装芯片半导体封装的方法。包括：在半导体芯片的焊盘图形上形成有铜柱，在所述铜柱远离焊盘图形的一端镀有阻挡层，在所述阻挡层上布置预定量的焊料，所述焊料涂覆有焊剂。提供引线框，在引线框表面镀绝缘层，所述绝缘层具有与所述铜柱位置对应的开口，分别暴露部分的所述引线框的引线。所述半导体芯片倒装在所述引线框上，所述焊料接触所述暴露的引线。当回流时，所述焊料熔化，在所述焊剂的协助下，所述铜柱和所述暴露的部分的引线之间形成焊料互连，回流后的焊料位于所述铜柱和所述暴露的部分的引线之间，焊料不易从连接位置流走，因此避免了所述铜柱与所述连接位置之间的不良接触和引线之间的短路现象。
公开/授权文献:
- CN104392941A 形成倒装芯片半导体封装的方法 公开/授权日：2015-03-04
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |