![三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法](/CN/2013/1/70/images/201310352429.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法
- 申请号:CN201310352429.2 申请日:2013-08-14
- 公开(公告)号:CN104372409B 公开(公告)日:2017-03-01
- 发明人: 许桂生 , 刘锦峰 , 杨丹凤 , 刘莹 , 陈夏夏
- 申请人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 申请人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人: 中国科学院上海硅酸盐研究所
- 当前专利权人地址: 上海市长宁区定西路1295号
- 代理机构: 上海瀚桥专利代理事务所
- 代理人: 曹芳玲; 郑优丽
- 主分类号: C30B29/22
- IPC分类号: C30B29/22 ; C30B29/30 ; C30B29/32 ; C30B11/00
摘要:
本发明涉及一种三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法,所述三元系弛豫基铁电压电单晶的化学组成为x A(B11/2B21/2)X3—y A(B31/3B22/3)X3—(1-x-y)ABX3,0﹤x﹤1,0﹤y﹤1,且x+y﹤1。本发明三元系弛豫基铁电压电单晶的相变温度可达到120℃左右,较PMN-PT和PZN-PT有了很大的提高,同时其也具有异常优异的压电性能,压电常数和机电耦合系数也分别为1500pC/N和90%以上,是一种综合性能十分优异的压电材料,使得它在超声换能器、驱动器和传感器件等方面有着非常巨大而广泛的应用前景。(56)对比文件Da’an Liu,et al..Complete set ofelastic, dielectric, and piezoelectriccoefficients of [−101] poled 0.23Pb(In1/2Nb1/2O3)–0.45Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–0.32PbTiO3single crystals《.Journal of Alloys andCompounds》.2010,第506卷428-433.ping yu,et al..Application of Single-Crystalline PMN–PT and PIN–PMN–PT inHigh-Performance Pyroelectric Detectors.《IEEE Transactions on ultrasonics,ferroelectrics, and frequency control》.2012,第59卷(第9期),1983-1989.Yaoyao Zhang,et al..The compositionalsegregation,phase structure andproperties of Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 single crystal《.Journalof Crystal Growth》.2010,第318卷890-894.Yaoyao Zhang,et al..The compositionalsegregation,phase structure andproperties of Pb(In1/2Nb1/2)O3–Pb(Mg1/3Nb2/3)O3–PbTiO3 single crystal《.Journalof Crystal Growth》.2010,第318卷890-894.
公开/授权文献:
- CN104372409A 三元系弛豫基铁电压电单晶及其生长方法 公开/授权日:2015-02-25