基本信息:
- 专利标题： 一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置
- 申请号：CN201410616083.7 申请日：2014-11-04
- 公开(公告)号：CN104362116B 公开(公告)日：2017-06-27
- 发明人： 刘建辉 , 丁欣 , 陈甫 , 张颖 , 王亚东 , 毛晓伟 , 刘祖宏 , 吴代吾 , 侯智
- 申请人： 合肥京东方光电科技有限公司 , 京东方科技集团股份有限公司
- 申请人地址： 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号;
- 专利权人： 合肥京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人： 合肥京东方光电科技有限公司,京东方科技集团股份有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省合肥市新站区铜陵北路2177号;
- 代理机构： 北京安信方达知识产权代理有限公司
- 代理人： 张京波; 曲鹏
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; H01J37/04
摘要：
本发明涉及显示技术领域，尤其涉及一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置。该下部电极包括下部电极本体、下部电极控制器及至少一对压力传感器，将至少一对压力传感器设置在下部电极本体靠边的位置，每对的两个压力传感器由内向外依次设置，根据压力传感器测得的压力值，下部电极控制器控制冷却气体通孔的气体流量，进而使玻璃基板在刻蚀时与下部电极可保持悬浮，从而真正做到蚀刻不良的零发生，玻璃基板受热均匀，也间接地提高刻蚀时的均一性和刻蚀质量；也避免了因下部电极本体磨损造成的玻璃基板与下部电极本体粘附力增大的问题出现，进而也不会造成玻璃破损。
公开/授权文献:
- CN104362116A 一种气悬浮式下部电极及干法刻蚀装置 公开/授权日：2015-02-18
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |