基本信息:
- 专利标题： 变阻型存储装置
- 专利标题（英）：Resistance change memory
- 申请号：CN201380023018.7 申请日：2013-03-12
- 公开(公告)号：CN104285295A 公开(公告)日：2015-01-14
- 发明人： 角岛邦之 , 窦春萌 , 帕尔哈提·艾合买提 , 岩井洋 , 片冈好则
- 申请人： 国立大学法人东京工业大学 , 东芝高新材料公司
- 申请人地址： 日本东京
- 专利权人： 国立大学法人东京工业大学,东芝高新材料公司
- 当前专利权人： 国立大学法人东京工业大学,东芝高新材料公司
- 当前专利权人地址： 日本东京
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 金春实
- 优先权： 2012-057871 2012.03.14 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/056826 2013.03.12
- 国际公布： WO2013/137262 JA 2013.09.19
- 进入国家日期： 2014-10-31
- 主分类号： H01L27/105
- IPC分类号： H01L27/105 ; H01L45/00 ; H01L49/00
Provided is a resistance change memory having a high on/off ratio. The resistance change memory of an embodiment comprises: a first electrode containing a first element; a resistance change layer formed on the first electrode and comprising an oxide of the first element; an oxygen-conducting layer which has been formed on the resistance change layer, comprises a second element and oxygen, has oxygen ion conductivity, and has a higher relative permittivity than the resistance change layer; and a second electrode formed on the oxygen-conducting layer. When the voltage between the first electrode and the second electrode is continuously raised from zero, the resistance change layer undergoes dielectric breakdown earlier than the oxygen-conducting layer.
公开/授权文献:
- CN104285295B 变阻型存储装置 公开/授权日：2017-05-31
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |
| --------------H01L27/105 | ....包含场效应组件的 |