基本信息:
- 专利标题： 外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置
- 专利标题（英）：EPITAXIAL WAFER, METHOD FOR PRODUCING THE SAME, PHOTODIODE, AND OPTICAL SENSOR DEVICE
- 申请号：CN201410220700.1 申请日：2014-05-23
- 公开(公告)号：CN104218118A 公开(公告)日：2014-12-17
- 发明人： 藤井慧 , 柴田馨 , 秋田胜史
- 申请人： 住友电气工业株式会社
- 申请人地址： 日本大阪府大阪市
- 专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人： 住友电气工业株式会社
- 当前专利权人地址： 日本大阪府大阪市
- 代理机构： 中原信达知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 李兰; 孙志湧
- 优先权： 2013-112214 2013.05.28 JP
- 主分类号： H01L31/18
- IPC分类号： H01L31/18 ; H01L31/0304 ; H01L31/102 ; H01L31/0352 ; B82Y20/00
摘要：
本发明涉及外延晶片及其制造方法、光电二极管和光学传感器装置。制造外延晶片的方法包括在III-V族半导体衬底上生长外延层结构的步骤，该外延层结构包括III-V族半导体多量子阱和III-V族半导体表面层，其中执行在衬底上生长外延层结构的步骤，使得多量子阱相对于衬底的晶格失配△ω满足-0.13％≤△ω
摘要（英）：
A method for producing an epitaxial wafer includes a step of growing an epitaxial layer structure on a III-V semiconductor substrate, the epitaxial layer structure including a III-V semiconductor multiple-quantum well and a III-V semiconductor surface layer, wherein the step of growing the epitaxial layer structure on the substrate is performed such that a lattice mismatch [Delta][omega] of the multiple-quantum well with respect to the substrate satisfies a range of -0.13%<=[Delta][omega]<0% or 0%<[Delta][omega]<=+0.13%, the range having a center displaced from zero, and an X-ray rocking curve in a zero-order diffraction peak derived from the multiple-quantum well has a full width at half maximum (FWHM) of 30 seconds or less.