![SPR传感器元件和SPR传感器](/CN/2013/8/2/images/201380011795.jpg)
基本信息:
- 专利标题: SPR传感器元件和SPR传感器
- 专利标题(英):SPR sensor cell, and spr sensor
- 申请号:CN201380011795.X 申请日:2013-02-26
- 公开(公告)号:CN104160263A 公开(公告)日:2014-11-19
- 发明人: 绀谷友广
- 申请人: 日东电工株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 日东电工株式会社
- 当前专利权人: 日东电工株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人: 刘新宇; 李茂家
- 优先权: 2012-043470 2012.02.29 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/054909 2013.02.26
- 国际公布: WO2013/129379 JA 2013.09.06
- 进入国家日期: 2014-08-29
- 主分类号: G01N21/27
- IPC分类号: G01N21/27 ; G01N21/03
摘要:
本发明提供具有非常优异检测灵敏度的SPR传感器元件和SPR传感器。本发明的SPR传感器元件设置有:检测单元和与检测单元邻接的试样载置部,其中:检测单元具有下包层、形成为使得至少一部分与下包层邻接的芯层、覆盖芯层的金属层和设置在芯层与金属层之间的保护层;和保护层由具有超过1.0eV且小于7.0eV带隙(Eg)的材料形成。
摘要(英):
The present invention provides an SPR sensor cell and an SPR sensor which exhibit extremely excellent detection sensitivity. This SPR sensor cell is provided with a detection unit and a sample arrangement unit that is adjacent to the detection unit, wherein: the detection unit has an underclad layer, a core layer which is disposed such that at least a portion thereof is adjacent to the underclad layer, a metal layer covering the core layer, and a protective layer disposed between the core layer and the metal layer; and the protective layer is configured from a material having a band gap (Eg) of over 1.0 eV and less than 7.0 eV.
IPC结构图谱:
G | 物理 |
--G01 | 测量;测试 |
----G01N | 借助于测定材料的化学或物理性质来测试或分析材料 |
------G01N21/00 | 利用光学手段,即利用红外光、可见光或紫外光来测试或分析材料 |
--------G01N21/01 | .便于进行光学测试的装置或仪器 |
----------G01N21/21 | ..影响偏振的性质 |
------------G01N21/27 | ...利用光电检测 |