基本信息:
- 专利标题： 一种氮化物半导体的制备方法
- 专利标题（英）：Method for preparing nitride semiconductor
- 申请号：CN201410354965.0 申请日：2014-07-24
- 公开(公告)号：CN104103720A 公开(公告)日：2014-10-15
- 发明人： 谢翔麟 , 徐志波 , 李政鸿 , 林兓兓 , 卓昌正 , 张家宏
- 申请人： 安徽三安光电有限公司
- 申请人地址： 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
- 专利权人： 安徽三安光电有限公司
- 当前专利权人： 安徽三安光电有限公司
- 当前专利权人地址： 安徽省芜湖市经济技术开发区东梁路8号
- 主分类号： H01L33/00
- IPC分类号： H01L33/00 ; H01L33/10 ; H01L33/32
摘要：
本发明提出了一种氮化物半导体的制备方法，通过在PVD法AlN薄膜层与CVD法氮化镓系列层之间沉积一CVD法AlxInyGa1-x-yN材料层，利用该材料层可减小AlN薄膜层与氮化镓系列层之间的应力作用，改善发光二极管的整体质量，从而最终改善发光效率。
摘要（英）：
The invention provides a method for preparing a nitride semiconductor. A chemical vapor deposition (CVD) AlxInyGal-x-yN material layer is deposited between a physical vapor deposition (PVD) ALN thin film layer and a CVD gallium nitride series layer, the stress action between the ALN thin film layer and the gallium nitride series layer can be reduced by the aid of the material layer, whole qualities of a light emitting diode are improved, and thereby, the light emitting efficiency is increased finally.