基本信息:
- 专利标题： 基板处理装置及基板处理方法
- 申请号：CN201280063747.0 申请日：2012-12-21
- 公开(公告)号：CN104094384B 公开(公告)日：2016-09-21
- 发明人： 许胜会 , 韩政勋
- 申请人： 周星工程股份有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人： 周星工程股份有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京同立钧成知识产权代理有限公司
- 代理人： 臧建明
- 优先权： 10-2011-0141796 2011.12.23 KR
- 国际申请： PCT/KR2012/011228 2012.12.21
- 国际公布： WO2013/095030 KO 2013.06.27
- 进入国家日期： 2014-06-20
- 主分类号： H01L21/3065
- IPC分类号： H01L21/3065 ; H01L21/205
摘要：
本发明涉及一种基板处理装置及基板处理方法，其分离设置等离子空间与源气体喷射空间，以提高薄膜物质的均匀度，使得容易控制薄膜物质的膜质。本发明的基板处理装置可以包括：工艺腔室；基板支撑部，其可旋转地设置于所述工艺腔室，以支撑多个基板；以及电极部，其设置于所述基板支撑部的上部并具有分离形成的用于向所述基板上喷出等离子的等离子形成空间及用于向所述基板上喷射源气体(Source gas)的源气体喷射空间。
摘要（英）：
Disclosed is a substrate processing apparatus and method which facilitate to improve uniformity of thin film material and also facilitate to control quality of thin film by the use of plasma forming space and source gas distributing space separately provided from each other, wherein the substrate processing apparatus includes a process chamber; a substrate support for supporting a plurality of substrates, the substrate support rotatably provided inside the process chamber; and a electrode unit arranged above the substrate support and provided with the plasma forming space and the source gas distributing space, wherein the plasma forming space is spatially separated from the source gas distributing space.
公开/授权文献:
- CN104094384A 基板处理装置及基板处理方法 公开/授权日：2014-10-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/302 | .....改变半导体材料的表面物理特性或形状的，例如腐蚀、抛光、切割 |
| ------------------H01L21/306 | ......化学或电处理，例如电解腐蚀 |
| --------------------H01L21/3065 | .......等离子腐蚀；活性离子腐蚀 |