基本信息:
- 专利标题： 堆叠纳米线制造方法
- 专利标题（英）：Method for manufacturing stacked nanowires
- 申请号：CN201310110074.6 申请日：2013-03-29
- 公开(公告)号：CN104078324A 公开(公告)日：2014-10-01
- 发明人： 秦长亮 , 殷华湘 , 洪培真 , 马小龙 , 赵超
- 申请人： 中国科学院微电子研究所
- 申请人地址： 北京市朝阳区北土城西路3#
- 专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人： 中国科学院微电子研究所
- 当前专利权人地址： 北京市朝阳区北土城西路3#
- 代理机构： 北京蓝智辉煌知识产权代理事务所
- 代理人： 陈红
- 主分类号： H01L21/02
- IPC分类号： H01L21/02 ; H01L21/308 ; B82Y10/00 ; B82Y40/00
摘要：
本发明公开了一种堆叠纳米线制造方法，包括：步骤a，在衬底上形成硬掩模；步骤b，刻蚀衬底形成第一沟槽与鳍片；步骤c，在鳍片侧面形成侧墙；步骤d，刻蚀鳍片，在侧墙下方形成第二沟槽；步骤e，后处理鳍片，形成堆叠纳米线。依照本发明的堆叠纳米线制造方法，混合采用各向异性与各向同性刻蚀，在侧壁形成的侧墙保护下实现了选择性刻蚀，由此提高了堆叠纳米线的精度，有利于器件小型化。
摘要（英）：
The invention discloses a method for manufacturing stacked nanowires. The method comprises the steps that a, a hard mask is formed on a substrate; b, a first groove and fins are formed by etching the substrate; c, side walls are formed on the side faces of the fins; d, the fins are etched, and second grooves are formed in the lower parts of the side walls; e, the fins are post-processed to form the stacked nanowires. According to the method for manufacturing the stacked nanowires, anisotropic etching and isotropic etching are adopted in a mixed mode, selective etching is achieved under the protection of the side walls on the side faces, precision of the stacked nanowires is improved, and miniaturization of components is facilitated.
公开/授权文献:
- CN104078324B 堆叠纳米线制造方法 公开/授权日：2018-01-02
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |