基本信息:
- 专利标题： 功率半导体模块及功率模块
- 申请号：CN201280061694.9 申请日：2012-11-09
- 公开(公告)号：CN103999211B 公开(公告)日：2017-04-05
- 发明人： 井出英一 , 西冈映二 , 石井利昭 , 楠川顺平 , 中津欣也 , 露野圆丈 , 佐藤俊也 , 浅野雅彦
- 申请人： 日立汽车系统株式会社
- 申请人地址： 日本国茨城县
- 专利权人： 日立汽车系统株式会社
- 当前专利权人： 日立安斯泰莫株式会社
- 当前专利权人地址： 日本国茨城县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 雒运朴
- 优先权： 2011-274400 20111215 JP
- 国际申请： PCT/JP2012/079057 2012.11.09
- 国际公布： WO2013/088870 JA 2013.06.20
- 进入国家日期： 2014-06-13
- 主分类号： H01L23/34
- IPC分类号： H01L23/34 ; H01L25/07 ; H01L25/18
摘要：
本发明提供一种功率半导体模块及功率模块。并且提供树脂密封部与具有导体板的功率半导体模块之间的紧贴力及导热率大的绝缘膜。在功率半导体模块(302)与散热部(307B)之间设有绝缘层(700)。功率半导体模块(302)具备覆盖导体板(315)的周侧面的树脂密封部(348)，在树脂密封部(348)上设有多个凹部(348D)。绝缘层(700)由喷镀膜(710)、绝缘膜(720)、树脂层(730)构成，喷镀膜(710)在包括凹部(348D)的树脂密封部(348)的表面形成为整面状。凹部(348D)的平面尺寸形成得比构成喷镀膜(710)的各扁平体(711)的平面尺寸大。
公开/授权文献:
- CN103999211A 功率半导体模块及功率模块 公开/授权日：2014-08-20
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |