基本信息:
- 专利标题： 相移掩模、非对称图案的形成方法、衍射光栅的制造方法及半导体装置的制造方法
- 专利标题（英）：Phase shift mask, asymmetric pattern forming method, diffraction grating manufacturing method and semiconductor device manufacturing method
- 申请号：CN201280048495.4 申请日：2012-09-13
- 公开(公告)号：CN103998984A 公开(公告)日：2014-08-20
- 发明人： 角田和之 , 小野塚利彦 , 松井繁 , 江畠佳定 , 长谷川昇雄
- 申请人： 株式会社日立高新技术
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人： 株式会社日立高新技术
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 王亚爱
- 优先权： 2011-222907 2011.10.07 JP
- 国际申请： PCT/JP2012/073479 2012.09.13
- 国际公布： WO2013/051384 JA 2013.04.11
- 进入国家日期： 2014-04-01
- 主分类号： G03F1/26
- IPC分类号： G03F1/26 ; H01L21/027
Disclosed are an asymmetric pattern forming technique using a phase shift mask, and also a technique for manufacturing a diffraction grating and semiconductor device, whereby improved accuracy of the product and a shortening of manufacturing time can be achieved. A method of manufacturing a diffraction grating using a phase shift mask (30) (a light-blocking part and a light-transmissive part (a first light-transmissive part when there is no phase shift, a second light-transmissive part when there a phase shift) are disposed periodically), wherein a beam of light emitted from an illumination light source (10) is passed through a phase shift mask (30). The zeroth order beam and the +1 order beam generated by passing through this phase shift mask (30) are caused to interfere at the surface of an Si wafer (50). A photoresist (60) at the surface of this Si wafer (50) is thereby exposed, and a diffraction grating is thus formed having a cross-sectional shape of blazed form on the Si wafer (50).
公开/授权文献:
- CN103998984B 相移掩模、非对称图案的形成方法、衍射光栅的制造方法及半导体装置的制造方法 公开/授权日：2017-05-24
IPC结构图谱:
| G | 物理 |
| --G03 | 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术 |
| ----G03F | 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备 |
| ------G03F1/00 | 用于图纹面的照相制版的原版的制备 |
| --------G03F1/26 | .相移掩膜 |