基本信息:
- 专利标题： 一种降低高纯钴中杂质Fe含量的方法
- 申请号：CN201410179819.9 申请日：2014-04-30
- 公开(公告)号：CN103966627B 公开(公告)日：2017-01-11
- 发明人： 杨志强 , 闫忠强 , 吴孝宝 , 任保佑 , 常雪洁 , 吕锦雷 , 白延利
- 申请人： 兰州金川新材料科技股份有限公司
- 申请人地址： 甘肃省兰州市和平经济开发区金川科技园
- 专利权人： 兰州金川新材料科技股份有限公司
- 当前专利权人： 兰州金川新材料科技股份有限公司
- 当前专利权人地址： 甘肃省兰州市和平经济开发区金川科技园
- 代理机构： 甘肃省知识产权事务中心
- 代理人： 鲜林
- 主分类号： C25C1/08
- IPC分类号： C25C1/08 ; C25C7/06
摘要：
本发明公开了本发明涉及一种降低高纯钴中杂质Fe含量的方法，采用电积除杂净化后钴溶液选择性掩蔽杂质Fe电积制备得到高纯钴，高纯钴样品经过GD-MS分析，纯度高于99.999%高纯钴，杂质Fe元素含量低于0.5ppm。工艺过程中，通过电积除杂净化和掩蔽铁离子除铁的方法，简化了高纯钴制备工艺流程，避免了使用金属量损耗大且操作复杂的离子交换和水解沉淀除铁方法，从而降低了高纯钴生产成本；采用磷酸盐或磷酸掩蔽杂质铁离子，与其它掩蔽剂相比，磷酸盐或磷酸与铁离子能在钴电积要求的溶液pH范围内形成高度稳定的络合物，从而提高了杂质铁的析出电位而有利于主金属钴析出，本发明一种降低高纯钴中杂质铁含量的方法适用于铁含量低于0.5g/l的钴溶液电积或电解过程。
公开/授权文献:
- CN103966627A 一种降低高纯钴中杂质Fe含量的方法 公开/授权日：2014-08-06
IPC结构图谱:
| C | 化学；冶金 |
| --C25 | 电解或电泳工艺；其所用设备 |
| ----C25C | 电解法生产、回收或精炼金属的工艺；其所用的设备 |
| ------C25C1/00 | 由溶液电解法电解生产、回收或精炼金属 |
| --------C25C1/02 | .轻金属的 |
| ----------C25C1/08 | ..镍或钴的 |