基本信息:
- 专利标题： 用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略
- 申请号：CN201410111306.4 申请日：2007-09-20
- 公开(公告)号：CN103956336B 公开(公告)日：2019-08-16
- 发明人： J·A·罗杰斯 , R·G·诺奥 , M·梅尔特 , 高興助 , J·尹 , E·梅纳德 , A·J·巴卡
- 申请人： 伊利诺伊大学评议会
- 申请人地址： 美国伊利诺伊州
- 专利权人： 伊利诺伊大学评议会
- 当前专利权人： 伊利诺伊大学评议会
- 当前专利权人地址： 美国伊利诺伊州
- 代理机构： 北京北翔知识产权代理有限公司
- 代理人： 李洁; 杨勇
- 优先权： 60/826,354 2006.09.20 US
- 主分类号： H01L21/78
- IPC分类号： H01L21/78 ; B81C1/00 ; H01L31/068 ; H01L31/0687 ; H01L31/072 ; H01L31/0725 ; H01L29/15 ; H01L29/20
摘要：
提供了如下的方法，其通过提供具有多个功能层和多个松脱层的多层结构，并通过利用分离一个或多个松脱层而将功能层从多层结构分离以产生多个可转移结构，来制造器件或器件构件。所述可转移结构被印刷到器件衬底或由器件衬底支撑的器件构件上。所述方法和系统提供了用于高质量且价格低廉地制造光电器件、可转移半导体结构、（光）电器件和器件构件的方式。
摘要（英）：
Provided are methods for making a device or device component by providing a multilayer structure having a plurality of functional layers and a plurality of release layers and releasing the functional layers from the multilayer structure by separating one or more of the release layers to generate a plurality of transferable structures. The transferable structures are printed onto a device substrate or device component supported by a device substrate. The methods and systems provide means for making high-quality and low-cost photovoltaic devices, transferable semiconductor structures, (opto-)electronic devices and device components.
公开/授权文献:
- CN103956336A 用于制造可转移半导体结构、器件和器件构件的松脱策略 公开/授权日：2014-07-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/78 | ...把衬底连续地分成多个独立的器件 |