基本信息:
- 专利标题： 半导体模块
- 专利标题（英）：Semiconductor module
- 申请号：CN201380003701.4 申请日：2013-10-25
- 公开(公告)号：CN103918066A 公开(公告)日：2014-07-09
- 发明人： 须永崇 , 金子昇 , 三好修
- 申请人： 日本精工株式会社
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 日本精工株式会社
- 当前专利权人： 日本精工株式会社
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京三友知识产权代理有限公司
- 代理人： 李辉; 徐丹
- 优先权： 2012-243684 2012.11.05 JP; 2013-175769 2013.08.27 JP
- 国际申请： PCT/JP2013/006342 2013.10.25
- 国际公布： WO2014/068937 JA 2014.05.08
- 进入国家日期： 2014-04-29
- 主分类号： H01L21/60
- IPC分类号： H01L21/60 ; H01L25/07 ; H01L25/18
Provided is a semiconductor module capable of shortening production takt, reducing production costs, and ensuring the reliability of a joining section. The semiconductor module (30) is equipped with: a metal substrate (31); an insulating layer (32) formed on the substrate (31); a plurality of wiring patterns (33a-33d) formed on the insulating layer (32); a bare-chip transistor (35) mounted on a wiring pattern (33a) using solder (34a); and copper connectors (36a, 36b) for joining the top of electrodes (S, G) of the bare-chip transistor (35) with the top of wiring patterns (33b, 33c) using solders (34b, 34c). The copper connectors (36a, 36b) are bridge-shaped, and have a narrow section (36ag) positioned near the joining surface (36af) with the electrodes (S, G), and a stress-relaxing section (36ak) positioned on the joining surface (36af) with the electrodes (S, G).
公开/授权文献:
- CN103918066B 半导体模块 公开/授权日：2016-08-24
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/50 | ...应用H01L21/06至H01L21/326中的任一小组都不包含的方法或设备组装半导体器件的 |
| --------------H01L21/60 | ....引线或其他导电构件的连接，用于工作时向或由器件传导电流 |