基本信息:
- 专利标题： β－Ga2O3系基板的制造方法和结晶层叠结构体的制造方法
- 申请号：CN201280050469.5 申请日：2012-10-12
- 公开(公告)号：CN103917700B 公开(公告)日：2020-05-22
- 发明人： 增井建和 , 山冈优
- 申请人： 株式会社田村制作所 , 株式会社光波
- 申请人地址： 日本东京都
- 专利权人： 株式会社田村制作所,株式会社光波
- 当前专利权人： 株式会社田村制作所
- 当前专利权人地址： 日本东京都
- 代理机构： 北京市隆安律师事务所
- 代理人： 徐谦
- 优先权： 2011-226554 2011.10.14 JP
- 国际申请： PCT/JP2012/076523 2012.10.12
- 国际公布： WO2013/054919 JA 2013.04.18
- 进入国家日期： 2014-04-14
- 主分类号： C30B29/16
- IPC分类号： C30B29/16 ; C30B33/02 ; H01L21/20
Provided are: a method for producing a ²-Ga 2 O 3 substrate of which changes in donor concentration in a reducing atmosphere or an inert gas atmosphere are suppressed; and a method for producing a crystal laminate structure that can epitaxially grow a high-quality crystal film having low variability of quality in a reducing atmosphere or an inert gas atmosphere. The method for producing a ²-Ga 2 O 3 substrate includes a step for cutting out a ²-Ga 2 O 3 substrate from a ²-Ga 2 O 3 crystal containing a group IV element; annealing processing in an atmosphere containing a reducing atmosphere and/or an inert gas atmosphere is performed on the ²-Ga 2 O 3 crystal before cutting out the ²-Ga 2 O 3 substrate, or on the cut-out ²-Ga 2 O 3 substrate.
公开/授权文献:
- CN103917700A β－Ga2O3系基板的制造方法和结晶层叠结构体的制造方法 公开/授权日：2014-07-09