基本信息:
- 专利标题： 具有前焦距校正的光学器件的晶片级制造
- 专利标题（英）：Wafer-level fabrication of optical devices with front focal length correction
- 申请号：CN201280052514.0 申请日：2012-08-24
- 公开(公告)号：CN103890948A 公开(公告)日：2014-06-25
- 发明人： H.鲁德曼恩 , M.马鲁克 , A.比伊特施 , P.罗恩特根 , S.海姆加特纳
- 申请人： 七边形微光学私人有限公司
- 申请人地址： 新加坡新加坡市
- 专利权人： 七边形微光学私人有限公司
- 当前专利权人： 新加坡恒立私人有限公司
- 当前专利权人地址： 新加坡新加坡市
- 代理机构： 中国专利代理(香港)有限公司
- 代理人： 胡莉莉
- 优先权： 61/527355 2011.08.25 US
- 国际申请： PCT/CH2012/000201 2012.08.24
- 国际公布： WO2013/026175 EN 2013.02.28
- 进入国家日期： 2014-04-25
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146
The wafer stack (100) comprises a first wafer (OW1) referred to as optics wafer and a second wafer (SW) referred to as spacer wafer, said optics wafer (OW1) having manufacturing irregularities. The spacer wafer (SW) is structured such that it at least partially compensates for said manufacturing irregularities. The corresponding method for manufacturing a device, which in particular can be an optical device, comprises carrying out a correction step for at least partially compensating for manufacturing irregularities. Such a correction step comprises providing a wafer (SW) referred to as spacer wafer, wherein that spacer wafer is structured for at least partially compensating for said manufacturing irregularities. Those manufacturing irregularities may comprise a deviation from a nominal value, e.g., a irregularities in focal length. The invention can allow to mass produce high-precision devices at a high yield.
公开/授权文献:
- CN103890948B 具有前焦距校正的光学器件的晶片级制造 公开/授权日：2017-12-01
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |