基本信息:
- 专利标题： 具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构
- 专利标题（英）：Seal Ring Structure with Metal-Insulator-Metal Capacitor
- 申请号：CN201310165208.4 申请日：2013-05-07
- 公开(公告)号：CN103855100A 公开(公告)日：2014-06-11
- 发明人： 陈宪伟 , 邵栋樑 , 杨庆荣 , 赖昱嘉 , 蔡豪益 , 于宗源
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 孙征
- 优先权： 61/731,084 2012.11.29 US; 13/744,158 2013.01.17 US
- 主分类号： H01L23/16
- IPC分类号： H01L23/16 ; H01L23/552 ; H01L21/02 ; H01L27/01
摘要：
本发明涉及具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构集成电路的密封圈结构包括密封圈和金属绝缘体金属（MIM）电容器。MIM电容器包括顶电极、设置在顶电极下面的底电极，以及设置在顶电极和底电极之间的第一绝缘层。MIM电容器设置在密封圈范围内且与密封圈隔离。
摘要（英）：
The invention relates to a seal ring structure with a metal-insulator-metal capacitor. The seal ring structure of an integrated circuit includes a seal ring and a metal-insulator-metal (MIM) capacitor. The MIM capacitor includes a top electrode, a bottom electrode disposed below the top electrode, and a first insulating layer disposed between the top electrode and the bottom electrode. The MIM capacitor is disposed within the seal ring and the MIM capacitor is insulated from the seal ring.
公开/授权文献:
- CN103855100B 具有金属绝缘体金属电容器的密封圈结构 公开/授权日：2017-04-12
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/16 | .容器中的填充料或辅助构件，例如定心环 |