基本信息:
- 专利标题： 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法
- 申请号：CN201410020951.5 申请日：2014-01-17
- 公开(公告)号：CN103849930B 公开(公告)日：2016-12-07
- 发明人： 杨建荣 , 魏彦锋 , 孙瑞贇 , 孙权志
- 申请人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 申请人地址： 上海市虹口区玉田路500号
- 专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人： 中国科学院上海技术物理研究所
- 当前专利权人地址： 上海市虹口区玉田路500号
- 代理机构： 上海新天专利代理有限公司
- 代理人： 郭英
- 主分类号： C30B19/10
- IPC分类号： C30B19/10 ; C30B29/48
摘要：
本发明公开了一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法。通过在生长腔体和坩埚之间增加温度检测点，对坩埚内母液温度的变化趋势进行提前预测，并通过对控温点温度参数的调整，实现外延温度的精确控制。该装置及方法能有效防止生长系统内管壁汞珠分布的变化和非稳定的汞回流效应对外延工艺中外延温度变化过程的干扰，有效提高浸渍式碲镉汞液相外延工艺的可重复性。
公开/授权文献:
- CN103849930A 一种用于浸渍式碲镉汞液相外延的温度控制装置及方法 公开/授权日：2014-06-11