基本信息:
- 专利标题： 发光二极管及制造该发光二极管的方法
- 申请号：CN201280045164.5 申请日：2012-09-14
- 公开(公告)号：CN103828073B 公开(公告)日：2016-09-21
- 发明人： 蔡钟炫 , 张钟敏 , 卢元英 , 徐大雄 , 赵大成 , 李俊燮 , 李圭浩 , 印致贤
- 申请人： 首尔伟傲世有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道安山市
- 专利权人： 首尔伟傲世有限公司
- 当前专利权人： 首尔伟傲世有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道安山市
- 代理机构： 北京铭硕知识产权代理有限公司
- 代理人： 金光军; 韩明花
- 优先权： 10-2011-0093396 2011.09.16 KR; 10-2012-0015758 2012.02.16 KR; 10-2012-0052722 2012.05.17 KR
- 国际申请： PCT/KR2012/007358 2012.09.14
- 国际公布： WO2013/039344 KO 2013.03.21
- 进入国家日期： 2014-03-17
- 主分类号： H01L33/36
- IPC分类号： H01L33/36 ; H01L33/22 ; H01L33/12
摘要：
本发明公开发光二极管及制造该发光二极管的方法。该发光二极管包含：第一导电型半导体层；多个台面，在所述第一导电型半导体层上相隔而布置，且分别包含活性层及第二导电型半导体层；反射电极，位于各个所述多个台面上，且欧姆连接于第二导电型半导体层；电流分散层，覆盖所述多个台面及所述第一导电型半导体层，且与所述台面电绝缘，且在各个所述台面的上部区域内包含暴露所述反射电极的第一开口部，并欧姆接触于所述第一导电型半导体层。据此，可提供改善了电流分散性能的发光二极管。
公开/授权文献:
- CN103828073A 发光二极管及制造该发光二极管的方法 公开/授权日：2014-05-28