基本信息:
- 专利标题： 高区域堆叠层金属结构及相关方法
- 专利标题（英）：High area stacked layered metallic structures and related methods
- 申请号：CN201280047105.1 申请日：2012-08-27
- 公开(公告)号：CN103827019A 公开(公告)日：2014-05-28
- 发明人： 菲利普·贾森·斯蒂法诺 , 安娜·兰格洛瓦·隆德甘 , 叶夫根尼·彼得罗维奇·古塞夫 , 拉温德拉·瓦曼·谢诺伊
- 申请人： 高通MEMS科技公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 高通MEMS科技公司
- 当前专利权人： 高通MEMS科技公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 孙宝成
- 优先权： 13/227,246 2011.09.07 US
- 国际申请： PCT/US2012/052524 2012.08.27
- 国际公布： WO2013/036394 EN 2013.03.14
- 进入国家日期： 2014-03-27
- 主分类号： B81C1/00
- IPC分类号： B81C1/00 ; C25D5/10 ; C25D5/18 ; C23C28/02
This disclosure provides implementations of high surface area stacked layered metallic structures, devices, apparatus, systems, and related methods. A plurality of stacked layers on a substrate may be manufactured from a plating bath including a first metal and a second metal. A modulated plating current can deposit alternate first metal layers and alloy layers, the alloy layers including the first metal and the second metal. Gaps between the alloy layers can be formed by selectively etching some portions of the first metal layers to define a stacked layered structure. Stacked layered structures may be useful in applications to form capacitors, inductors, catalytic reactors, heat transfer tubes, non-linear springs, filters, batteries, and heavy metal purifiers.
IPC结构图谱:
| B | 作业；运输 |
| --B81 | 微观结构技术 |
| ----B81C | 专门适用于制造或处理微观结构的装置或系统的方法或设备 |
| ------B81C1/00 | 在基片内或其上制造或处理的装置或系统 |