基本信息:
- 专利标题： 一种结型场效应晶体管及其制备方法
- 申请号：CN201210445716.3 申请日：2012-11-08
- 公开(公告)号：CN103811353B 公开(公告)日：2016-12-21
- 发明人： 刘金华
- 申请人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人： 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址： 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构： 北京市磐华律师事务所
- 代理人： 董巍; 高伟
- 主分类号： H01L21/337
- IPC分类号： H01L21/337 ; H01L21/28 ; H01L29/808 ; H01L29/423
摘要：
本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法，所述方法包括：提供半导体衬底；在所述衬底上形成介质层和硬掩膜层；图案化所述介质层和所述硬掩膜层；在所述衬底上外延生长第一半导体材料层并进行源漏注入，以形成源漏区；氧化所述半导体材料层的表面，以形成氧化物；去除剩余的所述硬掩膜层，以露出所述介质层；在所述介质层上外延生长第二半导体材料层并平坦化；回蚀刻所述第二半导体材料层，以形成凹槽，然后进行沟道注入，以形成沟道；在所述凹槽中外延生长第三半导体材料层并平坦化，以形成栅极；对所述栅极进行离子注入，以形成不含底栅的结型场效应晶体管。本发明所述制备方法更加简单、容易控制，可以进一步提高器件的良率。
公开/授权文献:
- CN103811353A 一种结型场效应晶体管及其制备方法 公开/授权日：2014-05-21
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
| ------------------H01L21/337 | ......带有PN结栅的 |