
基本信息:
- 专利标题: 一种结型场效应晶体管及其制备方法
- 申请号:CN201210445716.3 申请日:2012-11-08
- 公开(公告)号:CN103811353B 公开(公告)日:2016-12-21
- 发明人: 刘金华
- 申请人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 申请人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人: 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
- 当前专利权人地址: 上海市浦东新区张江路18号
- 代理机构: 北京市磐华律师事务所
- 代理人: 董巍; 高伟
- 主分类号: H01L21/337
- IPC分类号: H01L21/337 ; H01L21/28 ; H01L29/808 ; H01L29/423
摘要:
本发明涉及一种结型场效应晶体管及其制备方法,所述方法包括:提供半导体衬底;在所述衬底上形成介质层和硬掩膜层;图案化所述介质层和所述硬掩膜层;在所述衬底上外延生长第一半导体材料层并进行源漏注入,以形成源漏区;氧化所述半导体材料层的表面,以形成氧化物;去除剩余的所述硬掩膜层,以露出所述介质层;在所述介质层上外延生长第二半导体材料层并平坦化;回蚀刻所述第二半导体材料层,以形成凹槽,然后进行沟道注入,以形成沟道;在所述凹槽中外延生长第三半导体材料层并平坦化,以形成栅极;对所述栅极进行离子注入,以形成不含底栅的结型场效应晶体管。本发明所述制备方法更加简单、容易控制,可以进一步提高器件的良率。
公开/授权文献:
- CN103811353A 一种结型场效应晶体管及其制备方法 公开/授权日:2014-05-21
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
--------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体,如掺杂材料 |
--------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
----------------H01L21/335 | .....场效应晶体管 |
------------------H01L21/337 | ......带有PN结栅的 |