![半导体元件用散热器件](/CN/2012/8/7/images/201280037344.jpg)
基本信息:
- 专利标题: 半导体元件用散热器件
- 申请号:CN201280037344.9 申请日:2012-07-17
- 公开(公告)号:CN103733331B 公开(公告)日:2017-03-22
- 发明人: 广津留秀树 , 塚本秀雄 , 石原庸介
- 申请人: 电化株式会社
- 申请人地址: 日本东京
- 专利权人: 电化株式会社
- 当前专利权人: 电化株式会社
- 当前专利权人地址: 日本东京
- 代理机构: 上海专利商标事务所有限公司
- 代理人: 金明花
- 优先权: 2011-165009 2011.07.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2012/068130 2012.07.17
- 国际公布: WO2013/015158 JA 2013.01.31
- 进入国家日期: 2014-01-27
- 主分类号: H01L23/373
- IPC分类号: H01L23/373 ; B22D18/02 ; C22C26/00 ; C22C32/00 ; C22F1/00 ; C22F1/04
摘要:
本发明公开了一种半导体元件用散热器件,其于包含含有40~70体积%的金刚石粒子且剩余部分是以铝为主成分的金属、厚度为0.4~6mm的板状体的两面,被覆由以铝为主成分的金属或铝-陶瓷系复合材料形成的被覆层而形成铝-金刚石系复合体,在其至少两主面,从主面侧依序形成(1)膜厚0.1~1μm的非晶态的Ni合金层、(2)膜厚1~5μm的Ni层、及(3)膜厚0.05~4μm的Au层而成,此处,Ni合金层和Ni层的比率(Ni合金层厚/Ni层厚)为0.3以下。
公开/授权文献:
- CN103733331A 半导体元件用散热器件 公开/授权日:2014-04-16
IPC结构图谱:
H | 电学 |
--H01 | 基本电气元件 |
----H01L | 半导体器件;其他类目未包含的电固体器件 |
------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
--------H01L23/34 | .冷却装置;加热装置;通风装置或温度补偿装置 |
----------H01L23/36 | ..为便于冷却或加热对材料或造型的选择,例如散热器 |
------------H01L23/373 | ...为便于冷却的器件材料选择 |