基本信息:
- 专利标题： 一种高热导金刚石掺杂SiC陶瓷的制备方法
- 专利标题（英）：Preparation method of diamond doped silicon carbide (SiC) ceramics with high heat conductivity
- 申请号：CN201310739082.7 申请日：2013-12-26
- 公开(公告)号：CN103724014B 公开(公告)日：2015-03-04
- 发明人： 刘永胜 , 冯薇 , 胡成浩 , 成来飞 , 张青
- 申请人： 西北工业大学
- 申请人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人： 西北工业大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市友谊西路127号
- 代理机构： 西北工业大学专利中心
- 代理人： 王鲜凯
- 主分类号： C04B35/565
- IPC分类号： C04B35/565 ; C04B35/622
摘要：
本发明涉及一种高热导金刚石掺杂SiC陶瓷的制备方法，利用流延法结合化学气相沉积方法向金刚石多孔预制体中沉积基体碳化硅。首先配置好不同粒径(7～50μm)的金刚石浆料进行流延实验，然后将流延好的金刚石颗粒和聚乙烯醇缩丁醛组成的基片室温干燥后备用。然后放置入CVI沉积炉，沉积基体碳化硅后得到的金刚石/碳化硅基片进行下一步在其表面的反复流延和沉积。最后，得到了金刚石/碳化硅复合材料试样。制备得到的金刚石/碳化硅复合材料为金刚石和碳化硅双相、无其他杂质，金刚石在复合材料中分布均匀且与基体金刚石结合良好。
公开/授权文献:
- CN103724014A 一种高热导金刚石掺杂SiC陶瓷的制备方法 公开/授权日：2014-04-16