基本信息:
- 专利标题： 整流装置、晶体管以及整流方法
- 专利标题（英）：Rectifying device, transistor, and rectifying method
- 申请号：CN201280039425.2 申请日：2012-08-21
- 公开(公告)号：CN103718303B 公开(公告)日：2015-05-20
- 发明人： 好田诚 , 新田淳作 , 小林研介
- 申请人： 独立行政法人科学技术振兴机构
- 申请人地址： 日本埼玉县
- 专利权人： 独立行政法人科学技术振兴机构
- 当前专利权人： 独立行政法人科学技术振兴机构
- 当前专利权人地址： 日本埼玉县
- 代理机构： 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人： 吴秋明
- 优先权： 2011-180767 2011.08.22 JP
- 国际申请： PCT/JP2012/071025 2012.08.21
- 国际公布： WO2013/027712 JA 2013.02.28
- 进入国家日期： 2014-02-12
- 主分类号： H01L29/82
- IPC分类号： H01L29/82 ; H01L21/8246 ; H01L27/105 ; H01L29/06 ; H01L29/66
摘要：
一种整流装置，具备：一维沟道(18)，其由半导体构成且用于电子移动；电极(26)，其通过对所述一维沟道施加电场，对在所述一维沟道中移动的电子使起因于自旋轨道相互作用的有效磁场在与所述电子移动的方向交叉的方向上生成；和外部磁场生成部(38)，其对所述一维沟道生成外部磁场。
公开/授权文献:
- CN103718303A 整流装置、晶体管以及整流方法 公开/授权日：2014-04-09