基本信息:
- 专利标题： 间的空穴(60)。空穴(60)可占据导电通路(40)的应用导电颗粒的低应力TSV设计 10%或更多的容积。
- 申请号：CN201280037494.X 申请日：2012-06-07
- 公开(公告)号：CN103718285B 公开(公告)日：2017-02-15
- 发明人： C·G·沃伊奇克 , K·德赛 , 伊利亚斯·默罕默德 , T·卡斯基
- 申请人： 德塞拉股份有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号
- 专利权人： 德塞拉股份有限公司
- 当前专利权人： 德塞拉股份有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州圣荷西市奥卓公园路3025号
- 代理机构： 珠海智专专利商标代理有限公司
- 代理人： 段淑华; 刘曾剑
- 优先权： 13/156,609 2011.06.09 US
- 国际申请： PCT/US2012/041247 2012.06.07
- 国际公布： WO2012/170625 EN 2012.12.13
- 进入国家日期： 2014-01-27
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L23/48 ; H01L23/498
摘要：
元器件(10)可包括：具有第一表面(21)和远离第一表面的第二表面(22)的基板(20)，沿一方向在第一表面与第二表面之间延伸的开口(30)，及在开口内延伸的导电通路(40)。基板(20)可具有小于10ppm/℃的热膨胀系数。导电通路(40)可包括复数个基体颗粒(50)，每个基体颗粒都包括第一金属的第一区域(51)，该第一区域基本由不同于第一金属的第二金属层(52)所覆盖。基体颗粒(50)可冶金接合在一起，且颗粒的第二金属层通路(40)可包括散布在已接合基体颗粒(50)之(52)可至少部分地扩散至第一区域(51)内，导电
公开/授权文献:
- CN103718285A 应用导电颗粒的低应力TSV设计 公开/授权日：2014-04-09
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |