基本信息:
- 专利标题： 具有带负电荷浅沟槽隔离(STI)衬里的像素及其形成方法
- 专利标题（英）：Pixel with negatively-charged shallow trench isolation (STI) liner and method for making the same
- 申请号：CN201310348812.0 申请日：2013-08-12
- 公开(公告)号：CN103681709A 公开(公告)日：2014-03-26
- 发明人： 钱胤 , 戴幸志 , 陈刚 , 毛杜立 , 文森特·韦内齐亚 , 霍华德·E·罗兹
- 申请人： 全视科技有限公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 全视科技有限公司
- 当前专利权人： 全视科技有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京律盟知识产权代理有限责任公司
- 代理人： 齐杨
- 优先权： 13/587,811 2012.08.16 US
- 主分类号： H01L27/146
- IPC分类号： H01L27/146 ; H01L21/82
摘要：
本申请案涉及一种具有带负电荷浅沟槽隔离STI衬里的像素及一种用于形成所述像素的方法。像素的实施例包含：衬底，其具有前表面；及光敏区，其形成于所述衬底的所述前表面中或附近。隔离沟槽邻近于所述光敏区而形成于所述衬底的所述前表面中。所述隔离沟槽包含：沟槽，其具有底部及侧壁；钝化层，其形成于所述底部及所述侧壁上；及填充物，其用以填充所述沟槽的未由所述钝化层填充的部分。
摘要（英）：
The invention relates to a pixel with negatively-charged shallow trench isolation (STI) liner and a method for making the same. Embodiments of a pixel including a substrate having a front surface and a photosensitive region formed in or near the front surface of the substrate. An isolation trench is formed in the front surface of the substrate adjacent to the photosensitive region. The isolation trench includes a trench having a bottom and sidewalls, a passivation layer formed on the bottom and the sidewalls, and a filler to fill the portion of the trench not filled by the passivation layer.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/144 | ..由辐射控制的器件 |
| ------------H01L27/146 | ...图像结构 |