基本信息:
- 专利标题： 凸块结构及其形成方法
- 申请号：CN201310218344.5 申请日：2013-06-04
- 公开(公告)号：CN103681614B 公开(公告)日：2016-09-14
- 发明人： 陈冠宇 , 林育蔚 , 曾裕仁 , 郭庭豪 , 陈承先
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾,新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾,新竹
- 代理机构： 北京德恒律治知识产权代理有限公司
- 代理人： 章社杲; 孙征
- 优先权： 61/702,624 2012.09.18 US; 61/707,442 2012.09.28 US; 61/707,609 2012.09.28 US; 61/707,644 2012.09.28 US; 13/712,722 2012.12.12 US
- 主分类号： H01L23/538
- IPC分类号： H01L23/538 ; H01L21/60
摘要：
一种迹线上凸块（BOT）结构包括由集成电路支撑的接触元件、电连接到接触元件的凸块下金属化（UBM）部件、位于凸块下金属化部件上的金属凸块以及位于基板上的基板迹线。基板迹线通过焊料接点和介面合金共化物连接到金属凸块；介面合金共化物的第一横截面积和焊料接点的第二横截面积的比率大于40%。
摘要（英）：
An embodiment bump on trace (BOT) structure includes a contact element supported by an integrated circuit, an under bump metallurgy (UBM) feature electrically coupled to the contact element, a metal bump on the under bump metallurgy feature, and a substrate trace on a substrate, the substrate trace coupled to the metal bump through a solder joint and intermetallic compounds, a ratio of a first cross sectional area of the intermetallic compounds to a second cross sectional area of the solder joint greater than forty percent.
公开/授权文献:
- CN103681614A 凸块结构及其形成方法 公开/授权日：2014-03-26
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L23/00 | 半导体或其他固态器件的零部件 |
| --------H01L23/34 | .冷却装置；加热装置；通风装置或温度补偿装置 |
| ----------H01L23/538 | ..制作在绝缘衬底上或内的多个半导体芯片间的互连结构 |