基本信息:
- 专利标题： 苝四甲酰二亚胺衍生物、n-型半导体、n-型半导体的制造方法和电子装置
- 申请号：CN201280027502.2 申请日：2012-04-04
- 公开(公告)号：CN103596964B 公开(公告)日：2016-08-31
- 发明人： 舟桥正浩 , 竹内望美
- 申请人： 国立大学法人香川大学
- 申请人地址： 日本香川县
- 专利权人： 国立大学法人香川大学
- 当前专利权人： 国立大学法人香川大学
- 当前专利权人地址： 日本香川县
- 代理机构： 北京林达刘知识产权代理事务所
- 代理人： 刘新宇; 李茂家
- 优先权： 2011-083220 2011.04.04 JP
- 国际申请： PCT/JP2012/059270 2012.04.04
- 国际公布： WO2012/137853 JA 2012.10.11
- 进入国家日期： 2013-12-04
- 主分类号： C07F7/10
- IPC分类号： C07F7/10 ; H01L51/05 ; H01L51/30 ; H01L51/42 ; H01L51/50 ; H05B33/14
The present invention provides a perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative which enables the formation of an n-type semiconductor having high carrier mobility and has superior solubility. The perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative is a perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative represented by the following chemical formula (I), a tautomer or stereoisomer of the perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative, or a salt of the perylene tetracarboxylic acid bisimide derivative or the tautomer or stereoisomer, In the chemical formula (I), R 1 to R 6 each represents a hydrogen atom, organooligosiloxane, or any substituent, at least one of R 1 to R 6 represents a monovalent substituent derived from organooligosiloxane, L 1 and L 2 each represents a single bond or a linking group, R 7 to R 10 each represents a lower alkyl group or a halogen, and o, p, q, and r each represents an integer from 0 to 2.
公开/授权文献:
- CN103596964A 苝四甲酰二亚胺衍生物、n-型半导体、n-型半导体的制造方法和电子装置 公开/授权日：2014-02-19