
基本信息:
- 专利标题: 制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法
- 专利标题(英):Method for producing chip having water-repellent front surface and hydrophilic back surface
- 申请号:CN201380001476.0 申请日:2013-03-14
- 公开(公告)号:CN103582563A 公开(公告)日:2014-02-12
- 发明人: 荒濑秀和 , 小森知行
- 申请人: 松下电器产业株式会社
- 申请人地址: 日本大阪府
- 专利权人: 松下电器产业株式会社
- 当前专利权人: 松下知识产权经营株式会社
- 当前专利权人地址: 日本大阪府
- 代理机构: 中科专利商标代理有限责任公司
- 代理人: 李逸雪
- 优先权: 2012-073191 2012.03.28 JP
- 国际申请: PCT/JP2013/001701 2013.03.14
- 国际公布: WO2013/145610 JA 2013.10.03
- 进入国家日期: 2013-11-27
- 主分类号: B32B27/00
- IPC分类号: B32B27/00 ; H01L21/52
摘要:
本发明提供一种制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的新方法。为此,本公开的第1方式所涉及的制造方法包括如下工序,通过水膜(902)来保护芯片(811)的背面(811b),同时使具有羟基的芯片(811)的表面(811a)接触使R1-Si(OR2)3或R1-SiY3溶解于第2疏水性溶剂(905a)而得到的有机溶液(905),从而在芯片(811)的表面(811a)形成防水性的薄膜。
摘要(英):
Provided is a novel method for producing a chip having a water-repellent front surface and a hydrophilic back surface. For this purpose, the production method according to the first embodiment of the disclosure of the present invention includes a step of bringing a front surface (811a) of a chip (811) having a hydroxyl group into contact with an organic solution (905), which is obtained by dissolving R1-Si(OR2)3 or R1-SiY3 in a second hydrophobic solvent (905a), while protecting the back surface (811b) of the chip (811) by means of a water film (902), thereby forming a thin water-repellent film on the front surface (811a) of the chip (811).
公开/授权文献:
- CN103582563B 制造具有防水性表面以及亲水性背面的芯片的方法 公开/授权日:2016-03-02
IPC结构图谱:
B | 作业;运输 |
--B32 | 层状产品 |
----B32B | 层状产品,即由扁平的或非扁平的薄层,例如泡沫状的、蜂窝状的薄层构成的产品 |
------B32B27/00 | 实质上由合成树脂组成的层状产品 |