基本信息:
- 专利标题： 一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法
- 申请号：CN201310553976.7 申请日：2013-11-08
- 公开(公告)号：CN103579367B 公开(公告)日：2016-09-21
- 发明人： 赵哿 , 刘钺杨 , 高文玉 , 金锐 , 于坤山 , 刘隽 , 凌平 , 包海龙 , 张宇
- 申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 国网智能电网研究院
- 申请人地址： 北京市西城区西长安街86号
- 专利权人： 国家电网公司,国网上海市电力公司,国网智能电网研究院
- 当前专利权人： 国家电网公司,国网上海市电力公司,国网智能电网研究院
- 当前专利权人地址： 北京市西城区西长安街86号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L29/861
- IPC分类号： H01L29/861 ; H01L29/06 ; H01L21/329
摘要：
本发明涉及一种功率器件及其制造方法，具体涉及一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法。二极管芯片包括金属阴极和金属阳极，P型掺杂层，N型掺杂层，以及设置在P型掺杂层与N型掺杂层之间的N型衬底，场氧化层以及钝化保护层结构，其阳极为低浓度P型掺杂区，阴极为低浓度N型缓冲掺杂区和低浓度N型增强掺杂区，并通过正面保护工艺形成背面注入掺杂的特殊制造方式形成器件结构。本发明通过降低阳极与阴极发射极区的掺杂浓度从而降低PN结自键电势差，减少P型掺杂区域注入的空穴总量，从而整体优化了恢复二极管的性能，在保证快恢复二极管具有较低正向导通压降的同时，提高器件的动态性能。
公开/授权文献:
- CN103579367A 一种低浓度掺杂发射区的快恢复二极管芯片及其制造方法 公开/授权日：2014-02-12