基本信息:
- 专利标题： 一种光刻掩模优化设计方法
- 申请号：CN201310432991.6 申请日：2013-09-22
- 公开(公告)号：CN103543598B 公开(公告)日：2016-04-13
- 发明人： 刘世元 , 吕稳 , 龚朋 , 周新江 , 许爽
- 申请人： 华中科技大学
- 申请人地址： 湖北省武汉市洪山区珞喻路1037号
- 专利权人： 华中科技大学
- 当前专利权人： 武汉宇微光学软件有限公司
- 当前专利权人地址： 430074 湖北省武汉市东湖新技术开发区创业街海达创新广场写字楼2002
- 代理机构： 华中科技大学专利中心
- 代理人： 朱仁玲
- 主分类号： G03F1/36
- IPC分类号： G03F1/36
摘要：
本发明公开了一种光刻掩模优化设计方法，该方法首先依据表征掩模的网格格点尺寸大小对掩模进行分级，在粗网格上快速求解掩模，然后对在粗网格上求解得到的掩模进行插值传播到下一级较细网格上进行细化校正，最终实现了掩模的快速优化。
公开/授权文献:
- CN103543598A 一种光刻掩模优化设计方法 公开/授权日：2014-01-29