基本信息:
- 专利标题： 一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法
- 申请号：CN201310527108.1 申请日：2013-10-30
- 公开(公告)号：CN103531620B 公开(公告)日：2017-02-08
- 发明人： 刘江 , 包海龙 , 张宇 , 刘隽 , 车家杰 , 赵哿 , 高明超 , 金锐
- 申请人： 国家电网公司 , 国网上海市电力公司 , 国网智能电网研究院
- 申请人地址： 北京市西城区西长安街86号
- 专利权人： 国家电网公司,国网上海市电力公司,国网智能电网研究院
- 当前专利权人： 国家电网公司,国网上海市电力公司,国网智能电网研究院
- 当前专利权人地址： 北京市西城区西长安街86号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/06 ; H01L21/331
摘要：
本发明涉及半导体器件技术，具体涉及一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法。IGBT芯片包括有源区、终端区和栅极区，在所述有源区和所述终端区均设有N型注入层；所述N型注入层在有源区包括以下设置方式：所述N型注入层包围P-基区；所述N型注入层包围P-基区且延伸到栅氧化层的下方和所述N型注入层包围P-基区且未包围P-基区拐角处。还提供了一种IGBT芯片的制造方法，本发明中在IGBT设计时引入N型注入层，优化了终端区的设计，降低了终端区的尺寸。同时降低了有源区的饱和电压，提高了芯片的电流能力。本发明在不影响IGBT芯片其他性能的前提下，通过引入N型注入层，优化IGBT芯片各功能区域的比例，提高了IGBT芯片的电流能力。
公开/授权文献:
- CN103531620A 一种基于N型注入层的IGBT芯片及其制造方法 公开/授权日：2014-01-22
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |