基本信息:
- 专利标题： 一种晶圆背面的离子注入方法
- 专利标题（英）：Ion implantation method for back face of wafer
- 申请号：CN201310459704.0 申请日：2013-09-29
- 公开(公告)号：CN103500704A 公开(公告)日：2014-01-08
- 发明人： 洪齐元 , 黄海
- 申请人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 申请人地址： 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人： 武汉新芯集成电路制造有限公司
- 当前专利权人地址： 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
- 代理机构： 北京轻创知识产权代理有限公司
- 代理人： 杨立
- 主分类号： H01L21/265
- IPC分类号： H01L21/265 ; H01J37/317
摘要：
本发明公开了一种晶圆背面的离子注入方法，包括如下步骤：步骤一，对晶圆背面进行减薄处理；步骤二，在减薄后的晶圆背面进行低能离子浅掺杂注入；步骤三，用炉管进行热处理，使杂质离子向晶圆正面扩散至所需深度。本发明通过低能的离子浅注入后采用热扩散的方法，使得掺杂的离子扩散至所需深度，这样既避免了器件的损伤，又可以满足器件的性能。
摘要（英）：
The invention discloses an ion implantation method for a back face of a wafer. The ion implantation method comprises the following steps: 1, thinning the back face of the wafer; 2, performing low-energy ion shallow doping implantation on the thinned back face of the wafer; 3, performing heat treatment by using a furnace tube to diffuse impurity ions towards the front face of the wafer to a required depth. According to the method, the doped ions are diffused to the required depth by the method for performing heat diffusion after the low-energy ion shallow implantation, so that the damage to a device is avoided and the performance of the device can also be met.
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/265 | ......产生离子注入的 |