基本信息:
- 专利标题： 具超短驻留时间之雷射退火系统及方法
- 专利标题（英）：Laser annealing systems and methods with ultra-short dwell time
- 申请号：CN201310232241.4 申请日：2013-06-13
- 公开(公告)号：CN103489812A 公开(公告)日：2014-01-01
- 发明人： S·阿尼基特切夫 , A·M·霍利鲁克
- 申请人： 超科技公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚
- 专利权人： 超科技公司
- 当前专利权人： 威科仪器有限公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚
- 代理机构： 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所
- 代理人： 曹瑾
- 优先权： 61/658,086 2012.06.11 US
- 主分类号： H01L21/67
- IPC分类号： H01L21/67 ; B23K26/00 ; B23K26/064 ; B23K26/70 ; H01L21/02 ; H01L21/268
摘要：
一种以超短驻留时间对一半导体晶圆执行退火之雷射退火系统及方法。雷射退火系统可包括一或二激光束，其至少部分重迭。其中一激光束系为一预热激光束且其他激光束系为退火激光束。退火激光束以足够快的速度扫描以使驻留时间介于大约1微秒至100微秒之间。所述超短驻留时间对于产品晶圆的退火是有用的，所述产品晶圆系形成自薄装置晶圆，因为他们避免装置晶圆之装置侧因退火过程中的加热而受损。
摘要（英）：
Provided are laser annealing systems and methods with ultra-short dwell time for a semiconductor wafer. The laser annealing system can include one or two laser beams which are at least partly overlapped, wherein one laser beam is a pre-heated laser beam, and the other laser beam is an annealing laser beam. The high scanning speed of the annealing laser beam enables the dwell time to stay between 1 to 100 microseconds. The ultra-short dwell time is useful for annealing of product wafer, and the product wafer prevents damage caused by heating in the annealing process.
公开/授权文献:
- CN103489812B 具超短驻留时间之雷射退火系统及方法 公开/授权日：2017-06-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |