基本信息:
- 专利标题： 具有带有低电流结构的读/写元件的3D阵列的非易失性存储器及其方法
- 申请号：CN201180060500.9 申请日：2011-12-13
- 公开(公告)号：CN103415887B 公开(公告)日：2016-05-04
- 发明人： G.萨马奇萨 , J.埃尔斯梅尔
- 申请人： 桑迪士克3D有限责任公司
- 申请人地址： 美国加利福尼亚州
- 专利权人： 桑迪士克3D有限责任公司
- 当前专利权人： 桑迪士克科技有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国加利福尼亚州
- 代理机构： 北京市柳沈律师事务所
- 代理人： 黄小临
- 优先权： 61/423,007 2010.12.14 US; 13/323,766 2011.12.12 US
- 国际申请： PCT/US2011/064695 2011.12.13
- 国际公布： WO2012/082770 EN 2012.06.21
- 进入国家日期： 2013-06-14
- 主分类号： G11C13/00
- IPC分类号： G11C13/00
摘要：
跨过位于在半导体基板以上不同距离处的多层平面形成三维阵列读/写（R/W）存储器元件。优选地，以低电流和高电阻状态操作R/W元件。这些电阻状态的电阻还依赖于R/W元件的尺寸，并且由工艺技术预先确定。与R/W元件（430）串联的薄片（400）电极及其形成方法提供了用于调整R/W存储器元件（430）的电阻的另一自由度。调整薄片电极（400）的厚度以获得在从字线（470）到位线（440）的电路路径中的减小的截面接触。这允许R/W存储器元件（430）具有增加得多的电阻并因此以减小得多的电流操作。以单元尺寸很小的增加来形成薄片电极（400）。
公开/授权文献:
- CN103415887A 具有带有低电流结构的读/写元件的3D阵列的非易失性存储器及其方法 公开/授权日：2013-11-27