基本信息:
- 专利标题： 一种绝缘栅双极晶体管
- 申请号：CN201210105487.0 申请日：2012-04-11
- 公开(公告)号：CN103378140B 公开(公告)日：2015-11-04
- 发明人： 高明超 , 于坤山 , 金锐 , 温家良 , 袁玉湘 , 刘江 , 刘钺杨 , 赵哿 , 韩荣刚 , 杨霏 , 张冲
- 申请人： 中国电力科学研究院 , 国家电网公司
- 申请人地址： 北京市海淀区清河小营东路15号
- 专利权人： 中国电力科学研究院,国家电网公司
- 当前专利权人： 中国电力科学研究院,国家电网公司
- 当前专利权人地址： 北京市海淀区清河小营东路15号
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L29/739
- IPC分类号： H01L29/739 ; H01L29/40 ; H01L29/417 ; H01L23/367
摘要：
本发明提供一种绝缘栅双极晶体管，绝缘栅双极晶体管包括单个元胞并联而成的元胞区、终端区和划片槽；元胞区包括多晶硅栅电极、发射极、与发射极连接的N+发射区和P+发射区、N阱区、P阱区、N-衬底、透明集电极区和集电极。多级场板中的氮氧化硅层有腐蚀阻挡层的作用，对工艺精度要求低；并且氮氧化硅层致密性好，提高晶体管的稳定性和可靠性。发射极采用挖槽式，并在挖槽后侧向腐蚀氧化层可以在降低欧姆接触电阻的同时增大金属接触面积，使散热更均匀，器件的高温特性更好。所述元胞采用Spacer结构，利用一套光刻版注入P和N型区，可以避免套刻误差，确保元胞沟道的一致性，改善动态特性；同时可以省一道光刻板，减少工艺步骤，节约成本。
公开/授权文献:
- CN103378140A 一种绝缘栅双极晶体管 公开/授权日：2013-10-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/68 | ..只能通过对一个不通有待整流、放大或切换的电流的电极供给电流或施加电位方可进行控制的 |
| ------------H01L29/70 | ...双极器件 |
| --------------H01L29/72 | ....晶体管型器件，如连续响应于所施加的控制信号的 |
| ----------------H01L29/739 | .....受场效应控制的 |