基本信息:
- 专利标题： 激光晶化装置及用其制造薄膜晶体管阵列面板的方法
- 申请号：CN201310059430.6 申请日：2013-02-26
- 公开(公告)号：CN103377891B 公开(公告)日：2016-03-09
- 发明人： 秋秉权 , 朴喆镐 , 李权炯 , 表圣哲
- 申请人： 三星显示有限公司
- 申请人地址： 韩国京畿道
- 专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人： 三星显示有限公司
- 当前专利权人地址： 韩国京畿道
- 代理机构： 北京德琦知识产权代理有限公司
- 代理人： 于未茗; 康泉
- 优先权： 10-2012-0042651 2012.04.24 KR
- 主分类号： H01L21/268
- IPC分类号： H01L21/268 ; H01L21/336
摘要：
激光晶化装置包括：产生激光束的激光发生器，激光束指向处理目标基板；和位于处理目标基板上方的刀片构件，刀片构件被配置为在两个方向上以预定宽度切断激光束，其中激光束的被刀片构件切断的两个末端作为衍射光照射到处理目标基板。
公开/授权文献:
- CN103377891A 激光晶化装置及用其制造薄膜晶体管阵列面板的方法 公开/授权日：2013-10-30
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/263 | .....带有高能辐射的 |
| ------------------H01L21/268 | ......应用电磁辐射的，例如激光辐射 |