基本信息:
- 专利标题： 一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法
- 申请号：CN201310214435.1 申请日：2013-05-31
- 公开(公告)号：CN103325878B 公开(公告)日：2015-12-23
- 发明人： 毕臻 , 郝跃 , 张进成 , 李培咸 , 马晓华 , 侯耀伟
- 申请人： 西安电子科技大学
- 申请人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人： 西安电子科技大学
- 当前专利权人地址： 陕西省西安市太白南路2号
- 代理机构： 西安通大专利代理有限责任公司
- 代理人： 陆万寿
- 主分类号： H01L31/078
- IPC分类号： H01L31/078 ; H01L31/0352 ; H01L31/18
摘要：
本发明公开了一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法。该电池自下而上依次为：p-Si衬底和n-Si层构成Si电池；p-InGaN层、i-InGaN层和n-InGaN层构成InGaN电池；Si电池和InGaN电池之间为直接键合叠加结构或通过梳状金属中间层键合叠加结构；在n-InGaN层上引出有Cr/Ni/Au欧姆接触金属电极，在p-Si衬底背面引出有Al/Au欧姆接触金属电极。方法主要利用InGaN和Si材料的吸收范围相结合，来获得更宽的光谱响应范围。由于本发明同时采用了InGaN薄膜和Si薄膜作为光吸收层，使得吸收蓝紫光波段的InGaN和吸收可见及红外波段的Si两者相结合，可以拓宽光吸收范围，有利于产生更多的光生载流子，提高有效光吸收，同时获得更高的Voc，进而提高电池的转换效率。该p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池可用于太阳能光伏发电。
公开/授权文献:
- CN103325878A 一种p-i-n型InGaN/p-n型Si双结叠层太阳电池及其制备方法 公开/授权日：2013-09-25