基本信息:
- 专利标题： 一种IGBT芯片背面制造方法
- 专利标题（英）：Manufacturing method of back of IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor) chip
- 申请号：CN201210402834.6 申请日：2012-10-22
- 公开(公告)号：CN103268859B 公开(公告)日：2015-02-18
- 发明人： 刘江 , 赵哿 , 高明超 , 金锐
- 申请人： 国网智能电网研究院 , 国家电网公司
- 申请人地址： 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 专利权人： 国网智能电网研究院,国家电网公司
- 当前专利权人： 南瑞联研半导体有限责任公司
- 当前专利权人地址： 北京市昌平区小汤山镇大东流村路270号(未来科技城)
- 代理机构： 北京安博达知识产权代理有限公司
- 代理人： 徐国文
- 主分类号： H01L21/331
- IPC分类号： H01L21/331
摘要：
本发明涉及一种IGBT芯片背面制造方法，包括下述步骤：A、对IGBT芯片背面减薄；B、对所述IGBT芯片背面注入元素；C、对所述IGBT芯片背面退火；D、对所述IGBT芯片背面采用金属；E、对所述IGBT芯片进行背面合金工艺。在IGBT芯片正面完成后或者穿插在IGBT芯片正面制造过程中。通过减薄，注入，激活，扩散，背金，合金等工艺，完成IGBT芯片背面的结形貌（包括背发射极，背面缓冲层等）；同时完成背面集电极的电极引出。本发明加工步骤简洁，IGBT芯片背面制造方法的优化有利于改善芯片的性能，提高IGBT封装后的可靠性。
公开/授权文献:
- CN103268859A 一种IGBT芯片背面制造方法 公开/授权日：2013-08-28
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/02 | .半导体器件或其部件的制造或处理 |
| ----------H01L21/027 | ..未在H01L21/18或H01L21/34组中包含的为进一步的光刻工艺在半导体之上制作掩膜 |
| ------------H01L21/18 | ...器件有由周期表第Ⅳ族元素或含有/不含有杂质的AⅢBⅤ族化合物构成的半导体，如掺杂材料 |
| --------------H01L21/26 | ....用波或粒子辐射轰击的 |
| ----------------H01L21/33 | .....包括3个或更多电极的器件 |
| ------------------H01L21/331 | ......晶体管 |