基本信息:
- 专利标题： 半导体器件
- 申请号：CN201180058766.X 申请日：2011-12-01
- 公开(公告)号：CN103250250B 公开(公告)日：2016-08-10
- 发明人： 狩野太一
- 申请人： 富士电机株式会社
- 申请人地址： 日本神奈川县川崎市
- 专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人： 富士电机株式会社
- 当前专利权人地址： 日本神奈川县川崎市
- 代理机构： 北京尚诚知识产权代理有限公司
- 代理人： 龙淳
- 优先权： 2010-271781 2010.12.06 JP
- 国际申请： PCT/JP2011/077866 2011.12.01
- 国际公布： WO2012/077581 JA 2012.06.14
- 进入国家日期： 2013-06-06
- 主分类号： H01L27/06
- IPC分类号： H01L27/06 ; H01L21/822 ; H01L27/04
摘要：
本发明提供一种半导体器件，其通过使ESD保护用元件由npn晶体管（101）构成，减小ESD保护用元件的面积和在电流急剧增加的区域的电压，使ESD耐量提高。此外，通过使焊盘电极（8）夹着层间绝缘膜（15）成为2层结构，能够使上层的焊盘电极（16）的表面平坦化，提高接合引线的接合强度，抑制接合时对底层的硅层造成的损伤，可靠性高。
公开/授权文献:
- CN103250250A 半导体器件 公开/授权日：2013-08-14
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L27/00 | 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件 |
| --------H01L27/02 | .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的 |
| ----------H01L27/04 | ..其衬底为半导体的 |
| ------------H01L27/06 | ...在非重复结构中包括有多个单个组件的 |