基本信息:
- 专利标题： 薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊
- 专利标题（英）：Eutectic bonding of thin chips on a carrier substrate
- 申请号：CN201080070258.9 申请日：2010-11-23
- 公开(公告)号：CN103229290A 公开(公告)日：2013-07-31
- 发明人： A·普吕姆 , K-H·克拉夫特 , T·迈尔 , A·霍伊查斯特 , C·舍林
- 申请人： 罗伯特·博世有限公司
- 申请人地址： 德国斯图加特
- 专利权人： 罗伯特·博世有限公司
- 当前专利权人： 罗伯特·博世有限公司
- 当前专利权人地址： 德国斯图加特
- 代理机构： 北京市金杜律师事务所
- 代理人： 苏娟
- 国际申请： PCT/EP2010/068037 2010.11.23
- 国际公布： WO2012/069078 DE 2012.05.31
- 进入国家日期： 2013-05-22
- 主分类号： H01L21/768
- IPC分类号： H01L21/768 ; H01L21/60
The invention relates to a method for producing a semiconductor component (116). The method comprises the following steps: a) semiconductor chip (110) is produced on a starting substrate (112), wherein the semiconductor chip (110) is connected to the starting substrate (112) at at least one support point (116), wherein the semiconductor chip (110) has a front side (130) facing away from the starting substrate (112) and a rear side (132) facing the starting substrate (112), b) in at least one through-contacting step, at least one through-contact filler material (142) is applied to the semiconductor chip (110), wherein at least one sub-area (140) of the rear side (132) is coated with the through-contact filler material (142), c) the semiconductor chip (110) is separated from the starting substrate (112), and d) the semiconductor chip (110) is applied to at least one carrier substrate (150); , wherein the sub-area (140) of the rear side (132) of the semiconductor chip (110) coated with the through-contact filler material (142) is connected to at least one bond pad (152) on the carrier substrate (150).
公开/授权文献:
- CN103229290B 薄芯片在载体衬底上的低共熔压焊 公开/授权日：2016-10-05
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L21/00 | 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备 |
| --------H01L21/67 | .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置 |
| ----------H01L21/71 | ..限定在组H01L21/70中的器件的特殊部件的制造 |
| ------------H01L21/768 | ...利用互连在器件中的分离元件间传输电流 |