基本信息:
- 专利标题： 用于半导体应用的具有内建光学邻近校正的虚填充形状的近邻修整
- 申请号：CN201310017757.7 申请日：2013-01-17
- 公开(公告)号：CN103218470B 公开(公告)日：2016-05-18
- 发明人： H·S·兰迪斯
- 申请人： 国际商业机器公司
- 申请人地址： 美国纽约
- 专利权人： 国际商业机器公司
- 当前专利权人： 格芯美国第二有限责任公司
- 当前专利权人地址： 美国纽约
- 代理机构： 北京市中咨律师事务所
- 代理人： 于静; 张亚非
- 优先权： 13/353,035 2012.01.18 US
- 主分类号： G06F17/50
- IPC分类号： G06F17/50
摘要：
本发明涉及用于半导体应用的具有内建光学邻近校正（OPC）的虚填充形状的近邻修整。提供了用于半导体应用的具有内建光学邻近校正的虚填充形状的近邻修整。用于近邻修整的方法包括将一个或多个孔形状添加到包括多个设计形状的半导体设计布局上。所述方法还包括修整由所述一个或多个孔形状覆盖的所述多个设计形状的邻近设计形状。
公开/授权文献:
- CN103218470A 用于半导体应用的具有内建光学邻近校正的虚填充形状的近邻修整 公开/授权日：2013-07-24