基本信息:
- 专利标题： 鳍式BJT
- 专利标题（英）：Fin-like BJT
- 申请号：CN201210154484.6 申请日：2012-05-17
- 公开(公告)号：CN103187438A 公开(公告)日：2013-07-03
- 发明人： 张智胜 , 林以唐 , 谢铭峰
- 申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 申请人地址： 中国台湾新竹
- 专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人： 台湾积体电路制造股份有限公司
- 当前专利权人地址： 中国台湾新竹
- 代理机构： 北京德恒律师事务所
- 代理人： 陆鑫; 房岭梅
- 优先权： 13/339,160 2011.12.28 US
- 主分类号： H01L29/417
- IPC分类号： H01L29/417 ; H01L29/423 ; H01L29/735 ; H01L21/331
摘要：
本发明提供了一种使用鳍式场效应晶体管（FinFET）互补金属氧化物半导体（CMOS）工艺流程所形成的双极结型晶体管（BJT）。该BJT包括形成在衬底上方的发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍。基极鳍围绕着发射极鳍，并且集电极鳍围绕着发射极鳍。在一些实施例中，当从上方观看时，发射极鳍、基极鳍以及集电极鳍具有正方形的形状并且彼此同心。还提供了一种鳍式BJT。
摘要（英）：
A bipolar junction transistor (BJT) formed using a fin field-effect transistor (FinFET) complimentary metal-oxide-semiconductor (CMOS) process flow is provided. The BJT includes an emitter fin, a base fin, and a collector fin formed on a substrate. The base fin encloses the emitter fin and collector fin encloses the emitter fin. In some embodiments, the emitter fin, base fin, and collector fin have a square shape when viewed from above and are concentric with each other. The invention also provides a fin-like BJT.
公开/授权文献:
- CN103187438B 鳍式BJT 公开/授权日：2016-06-08
IPC结构图谱:
| H | 电学 |
| --H01 | 基本电气元件 |
| ----H01L | 半导体器件；其他类目未包含的电固体器件 |
| ------H01L29/00 | 专门适用于整流、放大、振荡或切换，并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的半导体器件；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒，例如PN结耗尽层或载流子集结层的电容器或电阻器；半导体本体或其电极的零部件 |
| --------H01L29/02 | .按其半导体本体的特征区分的 |
| ----------H01L29/41 | ..以其形状、相对尺寸或位置为特征的 |
| ------------H01L29/417 | ...通有待整流、放大或切换电流的 |